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    Hitachi離子研磨儀 IM4000 Plus

    簡(jiǎn)要描述:IM4000PLUS是支持?jǐn)嗝嫜心ズ推矫嫜心ィ‵lat Milling?*1)的混合式離子研磨儀器。借此,可以用于適用于各種諸如對(duì)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察和各類(lèi)分析等,為評(píng)價(jià)目的樣品的制作。

    • 更新時(shí)間:2025/6/5 14:18:34
    • 訪  問(wèn)  量:11529
    • 產(chǎn)品型號(hào):IM4000 Plus
    詳細(xì)介紹

    特點(diǎn)

     

    高通量的斷面研磨

    配備斷面研磨能力達(dá)到500 µm/h*2以上的高效率離子槍。因此,即使是硬質(zhì)材料,也可以高效地制備出斷面樣品。

    *2   在加速電壓6 kV下,將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)時(shí)的最大深度

     

     

    斷面研磨

    ● 即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構(gòu)成的復(fù)合材料,也可以制備出平滑的斷面樣品

    ● 優(yōu)化加工條件,減輕損傷

    ● 可裝載最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品

    斷面研磨的主要用途

    ● 制備金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等各種樣品的斷面

    ● 制備用于分析開(kāi)裂和空洞等缺陷的斷面

    ● 制備評(píng)價(jià)、觀察和分析所用的沉積層界面以及結(jié)晶狀態(tài)的斷面

    斷面研磨加工原理圖

     

    平面研磨(Flat Milling®

    均勻加工成直徑約為5mm的范圍

    可運(yùn)用于符合其目的的廣泛領(lǐng)域

    最大可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品

    可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動(dòng)(±60度~±90度的翻轉(zhuǎn))2種加工方法

     

    平面研磨(Flat Milling®)的主要用途

    去除機(jī)械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變

    去除樣品的表層

    消除FIB加工的損傷

     

     

     

    平面研磨(Flat Milling®)加工原理圖

     

    與日立SEM的樣品結(jié)合

    ● 樣品無(wú)需從樣品臺(tái)取下,就可直接在SEM上進(jìn)行觀察。

    ● 在抽出式的日立SEM上,可按照不同的樣品分別設(shè)置截面、平面研磨桿,因此,在SEM上觀察之后,可根據(jù)需要進(jìn)行再加工。

     

     

     

    功能

     

    冷卻溫度調(diào)節(jié)功能*1

    附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS
    附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS

     

     

    該功能可有效防止加工過(guò)程中,由于離子束照射引發(fā)的樣品的溫度上升,所導(dǎo)致樣品的溶解和變形。對(duì)于過(guò)度冷卻后會(huì)產(chǎn)生開(kāi)裂的樣品,通過(guò)冷卻溫度調(diào)節(jié)功能可防止其因過(guò)度冷卻而產(chǎn)生開(kāi)裂。

     

    *1     此調(diào)節(jié)功能不是IM4000PLUS的標(biāo)配功能,而是配有冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS功能。

     

    樣品:鉛焊料

     

    常溫研磨
    常溫研磨

    冷卻研磨
    冷卻研磨

     

     

    選項(xiàng)

     

    大氣隔離樣品桿

    大氣隔離樣品桿,可讓樣品在不接觸空氣的狀態(tài)下進(jìn)行研磨。
    密封蓋將樣品密閉,進(jìn)入真空排氣的樣品室后,打開(kāi)密封蓋。如此,離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接設(shè)置到SEM*1、FIB*1、AFM*2上。

    *1    僅支持附帶大氣隔離樣品更換室的日立FE-SEM和FIB。

    *2    僅支持真空型日立AFM。

     

    鋰離子電池負(fù)極(充電后)

    大氣暴露

    大氣隔離

     

     

    用于加工時(shí)觀察的立體顯微鏡

    IM4000、IM4000PLUS通過(guò)設(shè)置在樣品室上方的立體顯微鏡,可觀察到研磨過(guò)程中的樣品。
    如果是三目型,則可以通過(guò)CCD攝像頭*3進(jìn)行監(jiān)控觀察。

    *3    CCD攝像頭以及監(jiān)控器由客戶(hù)準(zhǔn)備。

     

     

     

     

     
    規(guī)格  

     

    項(xiàng)目

    內(nèi)容

    IM4000PLUS

    IM4000PLUS

    斷面研磨桿

    平面研磨桿

    使用氣體

    Ar(氬)氣

    加速電壓

    0 ~ 6 kV

    最大研磨速度(Si材料)

    500 µm/hr*1 以上

    -

    最大樣品尺寸

    20(W)× 12(D)× 7(H)mm

    Φ50 × 25(H) mm

    離子束
    間歇照射功能

    標(biāo)配

    尺寸 

    616(W)× 705(D)× 312(H)mm

    重量 

    機(jī)體48 kg+回轉(zhuǎn)泵28 kg

    附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS

    冷卻溫度調(diào)節(jié)功能

    通過(guò)液氮間接冷卻樣品、溫度設(shè)定范圍:0°C ~ -100°C

    選項(xiàng)

    空氣隔離
    樣品夾持器

    僅支持?jǐn)嗝嫜心A持器

    -

    FP版斷面研磨夾持器

    100 µm/rotate*2

    -

    用于加工監(jiān)控的顯微鏡

    倍率 15 × ~ 100 × 雙目型、三目型(支持CCD)

    *1 將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)的最大深度

    *2 千分尺旋轉(zhuǎn)1圈時(shí)的遮擋板移動(dòng)量。斷面研磨夾持器比為1/5

     

     

    觀察示例

     

    斷面研磨

    如果是大約500 µm的角型的陶瓷電容器,則可以3小時(shí)內(nèi)制備出平滑的斷面。

    樣品:陶瓷電容器

    低倍圖像

    放大圖像

    即使硬度和成分不同的多層結(jié)構(gòu)材料,也可以制備斷面。

    樣品:保險(xiǎn)杠涂膜

    低倍圖像

    放大圖像

    這是通過(guò)鋰電池正極材料,斷面研磨獲得平滑截面的應(yīng)用實(shí)例。
    在SEM上觀察到的具有特殊對(duì)比度的部位,從SSRM(Scanning Spread Resistance Microscopy)圖像來(lái)看,考慮為電阻低的部位。

    樣品:鋰離子電池正極材料 樣品制備方法:斷面研磨

     

    平面研磨(Flat Milling)

    可以去除機(jī)械研磨所引起的研磨損傷和塌邊,并可觀察到金屬層、合金層和無(wú)鉛焊料的Ag分布。

    樣品:無(wú)鉛焊料

    機(jī)械研磨后

    平面研磨后

    因老化等變得臟污的觀察面、分析面,通過(guò)平面研磨,也可以獲得清晰的通道對(duì)比度圖像和EBSD模式。

    樣品:銅墊片

       

     

     

     


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